Memoire non volatile

Non-volatile memory device

Abstract

L'invention concerne une mémoire non volatile (100) qui comprend un substrat (110), une couche isolante (120), une nervure (210), un certain nombre de couches diélectriques (310-330) et une porte de commande (510/520). La couche isolante (120) est formée sur le substrat (110) et la nervure (210) est formée sur la couche isolante (120). Les couches diélectriques (310-330) sont formées sur la nervure (210) et la porte de commande (510/520) est formée sur les couches diélectriques (310-330). Les couches diélectriques (310-330) peuvent comprendre des couches oxyde-nitrure-oxyde qui fonctionnent comme une structure à condensateurs pour la mémoire (100).
A non-volatile memory device (100) includes a substrate (110), an insulating layer (120), a fin (210), a number of dielectric layers (310-330) and a control gate (510/520). The insulating layer (120) is formed on the substrate (110) and the fin (210) is formed on the insulating layer (120). The dielectric layers (310-330) are formed over the fin (210) and the control gate (510/520) is formed over the dielectric layers (310-330). The dielectric layers (310-330) may include oxide-nitride-oxide layers that function as a charge storage structure for the memory device (100).

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Patent Citations (3)

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