Procede de polymerisation plasma sans fluor de materiaux poreux a faible k

Fluorine-free plasma curing process for porous low-k-materials

Abstract

L'invention concerne des matériaux poreux à faible constante diélectrique présentant un module d'élasticité et une dureté de matériau améliorés. Le procédé de fabrication desdits matériaux poreux implique l'utilisation d'un matériau diélectrique poreux et la polymérisation plasma du matériau diélectrique poreux à l'aide d'un gaz plasma sans fluor afin de produire un matériau diélectrique poreux polymérisé par plasma sans fluor. La polymérisation plasma sans fluor du matériau diélectrique poreux produit un matériau présentant un module d'élasticité et une dureté de matériau améliorés, ainsi qu'une constante diélectrique comparable. L'amélioration au niveau du module d'élasticité est généralement supérieure ou égale à environ 50%.
Low dielectric constant porous materials with improved elastic modulus and material hardness. The process of making such porous materials involves providing a porous dielectric material and plasma curing the porous dielectric material with a fluorine-free plasma gas to produce a fluorine-free plasma cured porous dielectric material. Fluorine-free plasma curing of the porous dielectric material yields a material with improved modulus and material hardness, and with comparable dielectric constant. The improvement in elastic modulus is typically greater than or about 50%.

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    US-2001046781-A1November 29, 2001Hideo NakagawaMethod for etching organic film, method for fabricating semiconductor device and pattern formation method
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